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热灯丝CVD法金刚石膜负偏压增强核化机制的研究 被引量:1

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摘要 利用扫描电镜、原子力显微镜、Raman谱和红外吸收谱研究了在衬底负偏压和电极偏压下热灯丝VCD金刚石膜核化增强的机制。在两种负偏压下,Si(100)上在-300V和250mA时最大核密度分别达到了10^10cm^-2和10^11cm^-2。研究表明产生于石墨支架和电极上金刚石涂层的电子激发了等离子体,并通过红外吸收谱探测发现等离子体的出现极大地增强了化学基深度。实验结果还表明。
出处 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 1999年第A10期60-64,共5页 Vacuum Science and Technology
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