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对向靶溅射制备CN膜研究 被引量:1

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摘要 使用对向靶系统在Si(100)基片上于不同N2分压下制备CN膜样品。X射线衍射表明样品为非晶结构。用X射线光电子谱测量膜中N的含量,结果表明膜中/C随N2分压提高而增大,当N2分压为100%时,N/C达到0.46。用X射线光电子谱和红外谱研究了膜中C与N的键态,结果表明膜中C与N之间存在化学键合。N与C的键态主要由N-sp^2C和N-sp^C及少量C=C组成。
作者 姜恩永 王怡
出处 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 1999年第A10期108-110,共3页 Vacuum Science and Technology
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