双极晶体管不同剂量率辐射退化机理被引量：1

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摘要通过对双极器件剂量率效应退化机理进行分析,探讨了双极器件抗辐射加固途径,评估了双极器件抗辐射能力的试验方法。

作者唐民赵大鹏吴志宇于庆奎林红

机构地区北京卫星环境工程研究所

出处《航天器环境工程》 1997年第3期23-26,共4页 Spacecraft Environment Engineering

关键词半导体器件辐射效应剂量率效应

分类号 TN322.8 [电子电信—物理电子学]

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引证文献1

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航天器环境工程

1997年第3期

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