摘要
O484 96031825硼掺杂及未掺杂金刚石薄膜的电学和光电导特性=Electrical and photoconductive characteristicsof B-doped and undoped diamond films[刊,中]/张仿清,张文军,胡博,谢二庆,陈光华（兰州大学物理系）//半导体学报.-1995,16（10）.-783-788用热丝辅助CVD法,用B<sub>2</sub>O<sub>3</sub>作硼源,成功地合成了金刚石膜。研究了退火前后它的电学性质和光电导特性。根据实验结果,分析了样品中可能存在的缺陷态及其对膜光电特性的影响。图5参10（方舟）
出处
《中国光学》
EI
CAS
1996年第3期61-62,共2页
Chinese Optics
