电场对ZnSe/ZnS应变层超晶格的影响

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摘要对加电场的ZnSe/ZnS应变层超晶格(SLSs)进行了光致发光测量,并观察到发光猝灭和峰向较低能侧的移动。这些现象与ZnSe阱中由电场引起的电子——空穴分离有关。作者用ZnSe/ZnS SLSs已成功地得到了光调制器,并证明了电场造成的吸收改变会起到光开关的作用。此外,得到了作为ZnSe/ZnS SLSs二次谐波的0.5235和0.436μm波长的相干光。

作者师庆华

出处《液晶与显示》 CAS CSCD 1990年第6期7-9,共3页 Chinese Journal of Liquid Crystals and Displays

关键词 ZnSe 应变层光致发光光调制器超晶格结构激子发射吸收边发光猝灭量子尺寸效应光学特性

分类号 TN141.9 [电子电信—物理电子学]

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