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在GaAs(001)衬底上的分子束外延生长及直径2英寸Hg_(xl)Cd_xTe膜的特性

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摘要 在GaAs(100)衬底上用分子束外延法生长出了2英寸直径的Hg<sub>1-x</sub>Cd<sub>x</sub>Te膜。这些膜都是在(100)和(111)B晶向上生长的并且都具有两种导电类型。这些膜的特性用电子衍射、红外吸收以及范德堡直流霍尔测量值来表征。它们的表面从中央到边缘有光泽且似镜面。这些膜的Cd浓度(x)非常均匀,其标准偏差相当子平均值(x)的0.7%,它们的厚度在0.6%之间是均匀的。
出处 《应用光学》 CAS CSCD 1990年第6期21-24,共4页 Journal of Applied Optics
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