东京工业大学用高压合成法开发出SrGeO3透明电导体

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摘要日本东京工业大学尖端科学研究机构的细野秀雄教授领导的研究小组开发出新的透明电导体SrGeO3，有望替代已有的ITO（氧化铟锡）等。已知锗氧化物是高透明光纤的玻璃原料，是典型的绝缘体。细野秀雄的研究小组通过将少量的La置换Sr，对构成元素的位置进行适当重组，并利用高压合成法使材料的晶体结构转变成钙钛矿（ABOa）结构，使材料具有较高的导电性能。

作者杨晓婵（摘译）

出处《现代材料动态》 2011年第12期3-3,共1页 Information of Advanced Materials

关键词日本东京工业大学电导体合成法开发高压科学研究机构结构转变氧化铟锡

分类号 TQ324.9 [化学工程—合成树脂塑料工业]

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