摘要
用高真空电子束蒸发方法制备了以半导体材料Si为过渡层的Co/Cu/Co三明治膜 .研究了不同厚度的Si过渡层对三明治膜巨磁电阻效应的影响 ,发现三明治膜巨磁电阻在过渡层厚度达到 0 .9nm时表现出明显的各向异性 ,而过渡层厚度小于0 .9nm时基本上呈各向同性 .巨磁电阻的各向异性行为可由三明治膜的平面内磁各向异性解释 .在Si过渡层和金属Co层的界面处相互扩散形成具有 ( 3 0 1)择优取向的Co2 Si诱导了三明治膜的这种各向异性 ,还研究了三明治膜晶体结构与Si过渡层厚度的关系 .
出处
《中国科学（E辑）》
CSCD
2000年第1期15-21,共7页
Science in China(Series E)
