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微波脉冲功率器件瞬态热阻测试研究 被引量:13

Experimental Study on Transient Thermal Resistance of Microwave Pulse Power Device
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摘要 介绍了功率器件装配过程中控制芯片烧结工艺参数的重要性,用显微红外热像仪测试了器件烧结工艺参数优化前后的微波瞬态热像,由热像测试数据计算出器件的热阻,并对器件的热阻值进行了比较,结果表明,通过烧结工艺参数优化,可以将器件热阻降低约20%。 This paper describes the importance rameters during assembly. Using infrared thermal controlling the chip soldering process paimaging system to capture the transient infrared images of the devices with and without process optimization, and calculating and comparing the thermal resistances, we find that the soldering process optimization brings us a 20% reduction of thermal resistance.
出处 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2012年第1期54-57,共4页 Research & Progress of SSE
关键词 瞬态红外热像 脉冲 结温 热阻 transient infrared thermal image pulse junction temperature thermal resistance
  • 相关文献

参考文献2

二级参考文献4

  • 1金毓铨 张珉.表征半导体器件散热特性的参数--准稳态热阻.标准化通讯,1988,4:24-25.
  • 2MIL-STD-750E-2006 Test Method Standard-Test Methods for Semiconductor Devices[S].Test Methods 3101.4.
  • 3MIL-STD-750E-2006 Test Method Standard-Test Methods for Semiconductor Devices[S].Test Methods 3104.
  • 4Thermal Engineering Associates INC.Heating curves Aid thermal characterization[R].

共引文献4

同被引文献57

引证文献13

二级引证文献28

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