硅/硅直接键合制造双极型静电感应晶体管被引量：1

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摘要用硅/硅直接键合片(SDB)代替了高阻外延片成功地制造了新型电力器件双极型静电感应晶体管(BSIT),正向阻断电压800V以上,漏极输出电流2A,展示了SDB片广阔的应用前景。

作者李思渊桑保生刘肃杨建红

机构地区兰州大学场感应器件研究所

出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1991年第6期15-16,共2页 Semiconductor Technology

关键词双极晶体管制造硅/硅直接键合片

同被引文献83

1李思渊,桑保生.双极型静电感应晶体管的研制[J].电力电子技术,1993(1):43-44. 被引量：2
2李思渊,孙卓,刘肃.静电感应晶体管(SIT)作用机制的理论研究[J].电力电子技术,1994,28(2):34-38. 被引量：3
3刘肃,李思渊,康宁.电力SITH动态测试原理与计算方法[J].电力电子技术,1994,28(2):47-50. 被引量：1
4李思渊,刘瑞喜,刘肃,杨建红,李成.静电感应晶闸管（SITH）的理论分析[J].半导体技术,1995,11(4):22-25. 被引量：2
5李思渊,刘瑞喜,李成,席传裕,刘肃,杨建红.静电感应晶闸管（SITH）沟道势垒的分析[J].兰州大学学报（自然科学版）,1995,31(4):78-88. 被引量：3
6王毓珍,李思渊.表面栅型静电感应晶体管结构和工艺特点[J].电力电子技术,1989(3):53-56. 被引量：1
7李思渊,耿辖.静电感应晶体管（SIT）电参数的分析与调节[J].电力电子技术,1989(4):44-49. 被引量：1
8李思渊,刘瑞喜,李成,韩永召,刘肃.BSIT开态的数值分析[J].半导体技术,1996,12(1):33-39. 被引量：1
9李思渊,刘瑞喜,李成,刘肃,杨建红,韩永召.BSIT开启特性的研究[J].兰州大学学报（自然科学版）,1996,32(2):37-45. 被引量：1
10李思渊,刘肃,刘瑞喜,杨建红.复合结构的静电感应器件[J].应用科学学报,1996,14(2):243-247. 被引量：2

半导体技术

1991年第6期

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