硅上砷化镓分子束外延工艺及器件应用

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摘要本文介绍了硅上砷化镓异质外延生长工艺及其在器件应用上的结果。由于我们非常重视从三维到二维成核状态转变的初始层的生长,从而明显降低了因砷化镓和硅之间晶格失配和不同热膨胀系数引起的高位错密度,抑制了砷化镓和硅界面处反相畴的出现。我们与清华大学合作实现了砷化镓外延层上的LED与硅衬底上MOSFET的单片光电集成。

作者刘双梅笑冰蔡丽红黄绮周均铭

机构地区中国科学院物理所

出处《半导体情报》 1991年第6期17-18,共2页 Semiconductor Information

关键词分子束外延硅砷化镓工艺器件

分类号 TN304.23 [电子电信—物理电子学]

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半导体情报

1991年第6期

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