摘要
在微波等离子ＣＶＤ设备中，微波电磁场的不均匀分布将导致等离子球和基片的温度不均匀，从而降低ＣＶＤ金刚石的质量，因而基片加热是需要的。材料的吸收微波能的能力同微波频率、电场强度、材料的介电常数和介电损耗及材料体积相关，材料的介电常数、介电损耗、导热率又同温度相关。基于热力学理论，本文用强上微波能的ＳｉＣ材料作了基片加热材料，放在微波等离子腔的基片下，研究了三维轴对称温度场模型。
出处
《人工晶体学报》
CSCD
北大核心
2000年第3期290-295,共6页
Journal of Synthetic Crystals
