摘要
研究了金属 氧化物 半导体 (MOS)器件在γ射线辐照条件下的温度效应 .采用加固的CC40 0 7进行辐照实验 ,在不同温度、不同偏压 ,以及不同退火条件下对MOS器件的辐照效应进行了比较 ,发现温度对辐照效应的影响主要是决定界面态建立的快慢 .高温下辐照的器件 ,界面态建立的时间缩短 .根据实验结果对器件阈值电压漂移的机理进行了探讨 .
Effects of irradiation temperature are explored for metal\|oxide\|semiconductor device under γ rays.Hardened CC4007 chips were irradiated under different temperatures,gate bias and annealing conditions.Threshold voltage shift was divided into V ot and V it using mid\|gap voltage method.Finally,the mechanism of threshold shift was discussed.
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2000年第7期1331-1334,共4页
Acta Physica Sinica
