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S波段小型化高增益集成功放设计 被引量:1

Design of S-band Miniature High Gain Integrated PA
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摘要 介绍了一种S波段小型化集成功放模块的设计方法。该模块采用GaAs和硅功率芯片,通过内匹配混合集成电路技术,将两级芯片集成到金属密封管壳中。实测结果表明,在脉宽200μs,占空比10%的测试条件下,3.1~3.4GHz全带内功率放大器输出功率能达到60W,36V电源效率大于35%,模块尺寸仅为26.5mm×15.0mm×5.0mm。 A research of S-band miniature integrated PA is reported by using GaAs and Si power chips. Two power chips are welded in a metal package by internal matching and mix inte- grated circuit. Measured results show the developed device can deliver 60 W output power over a 3.1~3.4 GHz band at 200 tLs pulse width, 10% duty cycle, 36 V operating voltage, with more than 35% drain efficiency. The module's size is only 26.5mm×15.0mm×5.0mm.
出处 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2013年第2期141-143,182,共4页 Research & Progress of SSE
关键词 小型化 高增益 混合集成电路 功率放大器 miniature size high gain mix integrate circuit power amplifier(PA)
  • 相关文献

参考文献3

  • 1赵夕彬,关富民.S波段30W微波脉冲功率放大器模块设计[J].集成电路设计与开发,2007,32(10):875-877.
  • 2赵夕彬.固态脉冲功率放大器脉冲波形顶降的研究[J].半导体技术,2009,34(4):381-384. 被引量:12
  • 3傅义珠,盛国兴.微波硅功率双极性管脉冲顶降和增益压缩特性分析[J].固态电子学研究与进展,2011,31(4):371-376.

二级参考文献2

共引文献11

同被引文献2

引证文献1

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