摘要
被绝缘材料封装的IGBT元件难以有效测量其内部芯片的结温,且IGBT元件的损耗受温度变化的影响很大,不利于直接作为实验用的热源。通过仿真分析对比研究了某实验用的模拟热源与IGBT元件发热方式,结果表明两者温度场分布与热流密度分布存在很大区别,改进后的模拟热源则可以较为准确地反映IGBT元件的发热方式。本文的方法与结果可为IGBT元件与散热器的实验提供参考。
出处
《制造业自动化》
北大核心
2013年第22期64-67,共4页
Manufacturing Automation
基金
湖南省自然科学省市联合基金重点项目资助(12JJ8020)