期刊文献+

高纯贵金属靶材在半导体制造中的应用与制备技术 被引量:25

Application and Fabrication Method of High Purity Precious Metal Sputtering Targets Used in Semiconductor
下载PDF
导出
摘要 高纯Au、Ag、Pt、Ru贵金属及其合金溅射靶材是半导体PVD工艺制程中的溅射源材料,广泛用于半导体制造工艺中,成为保证半导体器件性能和发展半导体技术必不可少及不可替代的材料。材料的高纯化、高性能贵金属及其合金靶材的制备(金属熔铸、热机械处理、粉末烧结、焊接等)以及贵金属靶材残靶及加工余料残屑的提纯回收利用是研究发展的重点,以实现贵金属靶材产品的高效增值。 High-puritY Au, Ag, Pt, Ru precious metals and alloys material targets make a very v role in semiconductor manufacturing. Purifying of raw materials, fabricating of high performance target (melting casting, thermal mechanical processing, powder sintering and bonding, etc.), recycling and refining of spent precious materials are important processes for precious metal target product development and application.
出处 《贵金属》 CAS CSCD 北大核心 2013年第S01期79-83,共5页 Precious Metals
基金 2012年国家科技支撑计划项目(2012BAE06B06 2012BAE06B07)资助
关键词 金属材料 半导体 溅射靶材 高纯 metal material semiconductor sputtering target high purity Au Ag Pt Ru
  • 相关文献

参考文献7

二级参考文献41

  • 1黄福民,王朴.偏心旋转移动平面磁控溅射在ITO玻璃生产中的应用与探讨[J].真空,2005,42(3):27-29. 被引量:2
  • 2Peter M. Cole,Kathryn C. Sole,Angus M. Feather.Solvent Extraction Developments in Southern Africa[J].Tsinghua Science and Technology,2006,11(2):153-159. 被引量:4
  • 3吴松,熊晓东,王胜国.钌催化剂在有机合成中的应用[J].稀有金属,2007,31(2):237-244. 被引量:16
  • 4田民波 刘德令 等.薄膜科学与技术手册[M].北京:机械工业出版社,1992..
  • 5Ivey D G. Platinum metals in ohmic contacts to Ⅲ-Ⅴ semiconductors[J]. Platinum Metals Review, 1999, 43(1):2-12.
  • 6Lin M E, Ma Z, Huang F Y, et al. Low resistance ohmic contacts on wide band-gap GaN[J]. Appl. Phys. Lett.,1994, 64: 1003-1005.
  • 7Zhifang Fan, Noor Mohammad S, Wook Kim, et al. Very low resistance multiplayer ohmic contact to n-GaN[J].Appl. Phys. Lett.. 1996, 68: 1672-1674.
  • 8Jin Wook Bum, Kenneth Chu, William A Davis, et al. Ultra-low resistive ohmic contacts on n-GaN using Si implantation[J]. Appl. Phys. Lett., 1997, 70: 464.
  • 9Peter Boswell. Low resistance gold contacts for gallium nitride[J]. Gold Bull., 1998, 31(4): 132-133
  • 10JA.-Soon Jang, Chang-Wonlee, Seeng-Ju Park. Low-resistance and thermally stable Pd/Ru ohmic contact to p-type GaN[J]. J. Electron. Mater., 2003, 31(9): 903-906.

共引文献88

同被引文献235

引证文献25

二级引证文献95

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...
;
使用帮助 返回顶部