摘要
基于转移矩阵方法和量子相干输运理论,研究了含两铁磁半导体层的双自旋过滤磁性隧道结(NM/FS/I/FS/NM,NM表示非磁金属,FS表示铁磁半导体,I表示绝缘层)中的Rashba自旋轨道耦合与自旋相关隧穿现象和隧穿磁电阻(TMR)效应之间的关系.研究结果表明:当左右两FS层的Rashba自旋轨道耦合强度相等时可得到最大的正TMR,而不等时可得到大的负TMR;在绝缘层厚度达到一定值后,双自旋过滤结可以获得稳定TMR,其正负和两FS层Rashba自旋轨道耦合强度的相对大小有关.
Based on the transfer matrix method and the quantum coherent transport theory, the relation of Rashba spin-orbit inter- action with the spin-dependent tunneling and the tunneling magnetic resistance （TMR） in double spin-filter magnetic tunneling junction with two ferromagnetic semiconductor （FS） layers （NM/FS/I/FS/NM where NM is nonmagnetic metal, I is insulator layer） are inves- tigated. The results show that the large positive or negative TMR can be obtained by adjusting the corresponding magnitude of Rashba spin-orbit coupling in left and right FS layers. When the thickness of insulator layer is large enough, the stability TMR can be obtained and its value depends on the relative ratio of Rashba spin-orbit coupling strength in two FS layers.
出处
《四川师范大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
2014年第1期103-107,共5页
Journal of Sichuan Normal University（Natural Science）
基金
四川省教育厅自然科学基金重点项目(13ZA0149)资助项目
关键词
双自旋过滤磁性隧道结
RASHBA自旋轨道耦合
隧穿磁电阻
隧穿电导
double spin-filter magnetic tunneling junction
Rashba spin-orbit coupling
tunneling magneto resistance
tunnelingconductance
