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纳米Si_3N_4对反应烧结Si_3N_4结合SiC材料的影响 被引量:5

The effect of nano-Si_3N_4 on the sintering of Si_3N_4 reaction bonded SiC material
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摘要 利用反应烧结机制 ,在 14 5 0℃制备了 Si3N4结合 Si C材料 ,研究表明 ,在引入微量纳米 Si3N4粉后 ,材料的力学性能得到明显提高 ,材料的组织也更加致密和均匀。通过 X-ary、扫描电镜等技术手段分析表明 ,由于纳米 Si3N4粉的高表面能、高活性以及颗粒小等特点 ,加大了反应生成的 Si3N4在纳米 Si3N4上沉积的几率 ,增大了氮化率 。 Si 3N 4 reaction bonded SiC with the addition of a small amount of nano-Si 3N 4 was produced at 1 450 ℃. The result showed that the mechanic properties of the material were greatly improved. The microstructure of the material became more uniform. The mechanism of the strength improvement of the material was attributed to the addition. The nano-Si 3N 4 properties of high surface energy,high activity and small size particles increased the deposit of Si 3N 4 reacted on the nano-Si 3N 4 and the nitriding rate of Si,then improved the properties of the material.
出处 《合肥工业大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 2001年第1期90-95,共6页 Journal of Hefei University of Technology:Natural Science
关键词 反应烧结 纳米级 氮化硅 碳化硅 耐火材料 Si 3N 4 reaction bonded SiC nano-Si 3N 4 reaction sintering
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