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高压大功率VDMOS的设计研究

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摘要根据高压大电流VDMOS的特点,利用工艺模拟软件对工艺流程进行模拟。通过将已知工艺参数与工艺模拟软件相结合,对击穿电压、阈值电压、导通电阻及开关时间进行计算。根据仿真结果计算在相同耐压条件下,不同形状的元胞在不同的元胞尺寸下对应的芯片面积变化情况。

作者姜婵史瑞

机构地区西安卫光科技有限公司

出处《黑龙江科技信息》 2014年第5期36-36,共1页 Heilongjiang Science and Technology Information

关键词元胞尺寸芯片面积击穿电压导通电阻

分类号 TN386.1 [电子电信—物理电子学]

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2014年第5期

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