摘要
通过引入有效时差的概念 ,提出了一种可模拟光刻工艺参数间的相互关系及优化光刻参数的方法。与Dill及Mack等的方法相比 ,该方法可直接建立光刻工艺参数之间的关系 ,并可对光刻工艺进行优化设计。
A method of simulating and optimizing lithographic process parameters is proposed based on the concept of effective time difference. Compared with the Dill and Mack method, this method can directly establish the relations among the process parameters and optimize the lithographic process.
出处
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
2001年第1期52-53,61,共3页
Semiconductor Optoelectronics
关键词
光刻工艺
有效时差
优化设计
半导体
lithographic process
effective time difference
optimization
