摘要
从半导体物理学及电化学的角度对光寻址电位传感器 (LAPS)的机理进行了较为深入的研究。详细阐述了LAPS的基本构造 ,并通过分析LAPS的电路模型及少数载流子的影响得出了各种参数对LAPS的影响 ,从而为制造高性能的LAPS提供了理论基础。
This paper describes in detail the mechanism of light addressable potentiometric sensors (LAPSs) from the viewpoint of semiconductor physics and electrochemistry. On the basis of analysis on the diffusion of minority carrier and the equivalent circuit of the LAPS, the effects of various parameters on LAPS are deduced, and a basis for fabrication of high performance LAPS is set.
出处
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
2001年第3期184-187,210,共5页
Semiconductor Optoelectronics
基金
国家自然科学基金资助项目! (6 99770 2 1)
