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低能钒离子注入花生种子的深度分布 被引量:5

PENETRATION DEPTH OF IMPLANTED V^+ WITH LOW ENERGY IN PEANUT EMBRYO
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摘要 采用卢瑟福背散射(RBS)和X射线能谱分析法(EDAX)对V元素在花生种子中的深度分布进行了测量 ,并用扫描电镜对注入前后花生种胚的形貌变化进行观察。结果表明 ,由于样品表面较粗糙以及其特殊结构 ,RBS方法不适于测量钒在花生种胚中的深度分布 ,trim95也不适合于对注入钒离子在花生种子中的深度进行模拟 ,而EDAX的测量结果表明V离子的穿透深度可达到15μm。另外 ,注入前后花生种胚的形貌发生了显著变化。 The methods of Rutherford Backscattering Spectroscopy (RBS) and Energy Dispersive Analysis of X-ray (EDAX) were carried out to measure depth distribution of Vanadium element in V-implanted peanut embryo. The morphology of unimplanted and implanted samples were also observed. The method of EDAX gives a penetration depth of 15μm, however the measurement of RBS could not give a reliable result because of sample's uneven surface. By comparing to unimplanted sample, obvious change of morphology in implanted peanut embryo has taken place.
出处 《生物物理学报》 CAS CSCD 北大核心 2001年第2期351-355,共5页 Acta Biophysica Sinica
基金 国家自然科学基金重大课题!(19890300) 北京市科技院萌芽计划
关键词 低能钒离子注入 花生种胚 卢瑟福背散射RBS 深度分布 种子 Ion implantation Depth distribution Peanut embryo Morphology
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