期刊文献+

AlN薄膜取向程度与实验参数间的函数关系 被引量:3

Function Relation Formulae Between Experimental Parameters and Preferential Orientation Intensity of AlN Films
下载PDF
导出
摘要 反应溅射制备AlN 薄膜时,薄膜的择优取向与众多的实验参数有关.建立晶面择优取向程度与溅射气压、靶基距、靶功率等重要实验参数之间的函数关系,避免了研究每一项参数对薄膜择优取向影响所需的实验次数的繁多,得到制备择优取向程度最佳薄膜的实验参数.同时,通过用该函数关系式计算得到结果与实验结果比较,发现两者具有很好的一致性.这一系列函数关系式的建立,对进一步设计新的实验方案、验证已有的实验结果以及制备良好择优取向薄膜都有着重要意义. The preferential orientation intensity of AlN films depends on several deposition parameters. For the first time, the function relation formulae between the intensity of preferential orientation of the films and experimental parameters (such as sputtering pressure, target power and the distance) were found. It is common practice to perform a number of deposition experiments by varying the controllable parameters to determine the optimal films growth conditions. The comparison of the experimental results and computational results obtained by using the function relation formula indicates that two results have a good agreement with each other. The foundation of these function relation formulae is of great signification for furthermore designing of a new experimental scheme, validating an old experimental result, or preparing the good preferential orientation films.
出处 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第6期1161-1168,共8页 Journal of Inorganic Materials
基金 教育部高等学校骨干教师资助计划项目 山西省自然科学基金 山西省青年科学基金资助
关键词 氮化铝薄膜 实验参数 择优取向 函数关系 制备 反应溅射 aluminium nitride films experimental parameters preferential orientation function relation
  • 相关文献

参考文献2

二级参考文献12

  • 1许小红,应用化学,2000年,17卷,3期,367页
  • 2Jagannadham K,J Vac Sci Technol A,1998年,18卷,5期,2804页
  • 3Liufu D,J Vac Sci Technol A,1998年,16卷,4期,2360页
  • 4Ishihara M,Thin Solid Films,1998年,316卷,152页
  • 5Miao X S,Thin Solid Films,1998年,315卷,123页
  • 6Kuo P K,Thin Solid Films,1994年,253卷,223页
  • 7田民波(译),薄膜科学与技术手册,1991年
  • 8盛世雄,X射线衍射技术:多晶非晶质材料,1986年
  • 9Liufu D,J Vac Sci Technol A,1998年,16卷,4期,2360页
  • 10Yang D,Thin Solid Films,1998年,332期,312页

共引文献26

同被引文献29

  • 1李拥华,徐彭寿,潘海滨,徐法强,谢长坤.GaN(100)表面结构的第一性原理计算[J].物理学报,2005,54(1):317-322. 被引量:14
  • 2Chen S C, Kuo P C, Lie C T, et al. J. Magn. Magn. Mater., 2001, 236: 151-157.
  • 3Bian B, Laughlin D E, Sato K, et al. J. Appl. Phys., 2000, 87(9): 6962-6964.
  • 4Zhang Y, Wan J, Bonder M J, et al. J. Appl. Phys., 2003, 93(10): 7175-7177.
  • 5Bai J, Yang Z, Wei F, et al. J. Magn. Magn. Mater., 2003, 257: 132-137.
  • 6Yah M L, Zeng H, Powers N, et al. J. Appl. Phys., 2002, 91(10): 8471-8473.
  • 7Luo C P, Liou S H, Sellmyer D J. J. Appl. Phys., 2000, 87(9): 6941-6943.
  • 8Daniil M, Farber P A, Okumura H, et al. J. Magn. Magn. Mater., 2002, 246: 297-302.
  • 9Xu Xiao-Hong, Wu Hai-Shun, Li Xiao-Li, et al. Physica B, 2004, 348: 436-439.
  • 10Wan J, Stoyanov S, Huang Y, et al. J. Magn. Magn. Mater., 2004,272-276: 1625-1627.

引证文献3

二级引证文献4

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...
;
使用帮助 返回顶部