摘要
本文对典型结构高亮度发光二极管（ＨＢ－ＬＥＤ）的注入电流扩展以及器件的光输出进行了详细的理论分析，结果表明具有较厚顶层的器件容易实现注入电流的扩展，而具有较厚的底层即具有透明衬底的器件容易实现光耦合输出，因此引入较厚顶层和底层是提高ＬＥＤ的外量子效率的有效手段．最后分别计算出不同顶层厚度下具有吸收衬底和透明衬底的ＬＥＤ的外量子效率，这两类ＬＥＤ 最大外量子效率分别为 １２．０５％和２０．１２％．
By analyzing HB-LED model about electrical inject, optical output and calculating the distributing of electrical density photon output coupling efficiency at different top layer in HB-LED, we found the thicker of top layer and bottom layer, the easier for electrical spread and optical output. The calculating result showed that the thickness of top layer and bottom layer should be 49-98μm and 148μm, respectively The maximal external quantum efficiency of these types of LED is 12.05% and 20.12%.
出处
《量子电子学报》
CAS
CSCD
北大核心
2002年第1期65-69,共5页
Chinese Journal of Quantum Electronics
基金
2000年国家科技攻关项目
编号为:00-068
广州市科技重点攻关项目
编号为:1999-Z-035-01
关键词
外量子效率
电流密度分布
亮度
发光二极管
HB-LED
internal quantum efficiency
external quantum efficiency
current density distribution
