摘要
采用真空蒸发法和热氧化制备纳米 Zn O薄膜 ,分析掺杂对薄膜结构的影响 .实验发现 ,掺入一定比例的 In,可以得到沿 c轴择优取向的纳米 Zn O薄膜 ,薄膜结晶度有所下降 ,影响薄膜沿 c轴的择优取向 .掺 Sb可以得到沿 c轴择优取向的纳米 Zn O薄膜掺 .Bi可以改善结晶度 ,获得强烈沿 c轴的择优取向的薄膜 .实验发现随 In含量的增加 ,薄膜晶粒尺寸逐渐减小 ,随 Sb含量的增加 ,晶粒尺寸逐渐增加 ,而
The doped Nano ZnO thin films have been obtained on glass substrates by using vacuum vapor deposition and heat treatment in O 2. By measure and analysis with the aids of XRD , with In doped content increase the crystallinity, the sizes of crystalline grains and c axial orientation decrease.Bi doped can increase the crystallinity and c axial orientation of the thin films,but the sizes of crystalline grains do not change.When Sb doped increase,the crystallinity of the thin films decrease and the sizes of crystalline grains increase.
出处
《内蒙古大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
2001年第6期704-706,共3页
Journal of Inner Mongolia University：Natural Science Edition
基金
"九五"国家重点攻关科技项目 (96- A1 7)
