摘要
摘要:概述了国内外IP产业的发展情况,论述了我国发展IP核复用技术SoC设计的可能性和必要性,IP核种类。
In this paper the industrial developmemt of the interior or exterior IP is summarized.The feasibility and necessity of developing the SoC technique based on the IP duplicate technol-ogy in China has been discussed.
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2002年第4期16-21,共6页
Semiconductor Technology
基金
国家863高技术研究发展计划(863-SOC-Y-1-2-2)
