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外延双阱CMOS倒相器的性能及制造工艺
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摘要
本文以倒相器为实例,较详细地介绍3微米设计规则的外延双阱 CMOS 器件,通过理论分析,计算机模拟、工艺实验及参数测试研究,分析阱的注入剂量,阱深和杂质分布的关系,探索工艺参数的优化设计,研究外延双阱 CMOS 倒相器的速度特性和抗闩锁能力。
作者
王印
成勃
谭延军
机构地区
机电部东北微电子研究所
出处
《微处理机》
1991年第1期10-17,共8页
Microprocessors
关键词
CMOS器件
例相器
性能
外延
双阱
分类号
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
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.西安电子科技大学学报,2005,32(3):396-399.
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2
罗岚.
宽温区CMOS倒相器的传输特性模型[J]
.怀化师专学报,2000,19(5):48-52.
3
宋安飞,张海鹏.
高温SOICMOS倒相器MOSFET组合的研究[J]
.电子器件,2000,23(1):13-18.
被引量:2
4
宋任儒,阮刚,梁擎擎,ReinhardStreiter,ThomasOtto,ThomasGessner.
基于速度饱和的CMOS倒相器延迟模型[J]
.Journal of Semiconductors,2000,21(7):711-716.
被引量:1
5
冯耀兰,宋安飞,樊路嘉,张正璠.
高温SOICMOS倒相器瞬态特性的研究[J]
.电子器件,2002,25(4):324-326.
被引量:1
6
柯导明,柯晓黎,冯耀兰,童勤义.
高温CMOS数字集成电路的瞬态特性分析[J]
.电子科学学刊,1994,16(1):8-17.
被引量:1
7
竺士炀,高剑侠,林成鲁,李金华.
CMOS/SOI的高温特性分析[J]
.微电子学,1996,26(3):146-149.
8
柯导明,童勤义,冯耀兰.
CMOS数字集成电路的高温电学性能分析[J]
.电子学报,1993,21(11):31-38.
9
柯导明,童勤义,冯耀兰,廖天康.
高温CMOS数字集成电路直流传输特性的分析[J]
.固体电子学研究与进展,1993,13(4):321-332.
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竺士炀,林成鲁,李金华,高剑侠.
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微处理机
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