等离子源及腐蚀技术发展趋势

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摘要由美国真空协会组织,在加州大学伯克利分校召开的“集成电路(IC)制造中的高密度等离子技术及其工艺”专题讨论会(AVS/Berkely会议),于去年(1990)9月结束。这次会议的各小组会集中讨论了新等离子源。

作者 Daniel L.Flamm 莫铭

出处《微电子学》 CAS CSCD 1991年第4期55-59,共5页 Microelectronics

关键词集成电路等离子腐公虫等离子源

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微电子学

1991年第4期

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