摘要
本文讨论了分布在SiO2 中纳米碳化硅晶须的拉曼受激散射现象。在用非晶态SiO2 包覆的纳米碳化硅材料中 ,随纳米碳化硅含量增高 ,激发阈值降低 ,激发强度增大。这是由于量子限域效应所致。随纳米晶须的半径降低 ,激发阈值降低 ;并且随激发波长的增长 ,蓝移减小。
The stimulated Raman scattering of silicon carbide nanorods distributed in silicon oxide is discussed in this paper.The exiting threshold decreases with increase of SiC nanorods content in silicon oxide and decrease of radius of SiC nanorods;which is ascribed to quantum confinement effect.The blue shift is reduced with increase of exciting wavelength.
出处
《激光杂志》
CAS
CSCD
北大核心
2002年第3期17-18,共2页
Laser Journal
基金
湖北省重大项目 (2 0 0 0Z0 40 0 7)资助
武汉市重点攻关项目资助
