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水平磁场对熔体热对流抑制作用的理论分析被引量：1

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摘要在直拉硅单晶生长过程中,熔体热对流对单晶质量有很大影响。一方面,热对流引起的温度波动可引起生长速率的变化,因晶体回熔而引入微缺陷,降低单晶的均匀性;另一方面,热对流将直接影响单晶中的间隙氧含量,并进一步影响到随后的氧沉淀形成。因此,在单晶生长过程中如何控制或抑制熔体的热对流越来越受到重视。

作者孙茂友万群秦福

机构地区北京有色金属研究总院

出处《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 1991年第1期61-64,共4页 Chinese Journal of Rare Metals

关键词磁场硅熔体热对流抑制作用

分类号 TN304.053 [电子电信—物理电子学]

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稀有金属

1991年第1期

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