摘要
利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术,在不同偏向角的GaAs衬底上生长了InGaAs/GaAs单量子阱外延结构。通过对样品室温光致发光(PL)谱测试结果的分析,讨论了衬底偏向角、量子阱层生长温度以及V/III比对外延片发光波长、发光强度及PL谱半峰全宽(FWHM)的影响。发现在相同生长条件下,对于InGaAs/GaAs应变量子阱结构,在GaAs(100)偏<111>A晶向较小偏向角的衬底上生长的样品PL谱发光强度较大,半峰全宽较窄;量子阱层低温生长的样品发光强度更强;增大量子阱层V/III比可以提高样品的发光强度,同时PL谱峰值波长出现红移。
InGaAs/GaAs single quantum well is grown on different misoriented substrates by the metal-organic chemical vapor deposition（MOCVD）technology.The samples are characterized by photoluminescence（PL）spectroscopy at room temperature.The effect of offset substrates,growth temperature and V/III ratio of quantum well layer on PL wavelength,intensity and full width at half-maximum（FWHM）has been studied.The samples with smaller offset from GaAs substrates（100）towards111show the higher PL intensity with narrower FWHM.The PL intensity increases with lower growth temperature of quantum well.The samples with high V/III ratio show high PL intensity while the PL wavelength exhibits red shift.
出处
《中国激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014年第11期173-177,共5页
Chinese Journal of Lasers
基金
国家自然科学基金(60976038
61107054
61308051)
国家自然科学基金委员会和中国工程物理研究院联合基金(U1330136)
吉林省科技发展计划(20100419
20140101192)
高功率半导体激光国家重点实验室基金(C1301)
关键词
材料
金属有机化学气相沉积
INGAAS/GAAS量子阱
偏向角
发光强度
半峰全宽
materials metal-organic chemical vapor deposition InGaAs/GaAs quantum well offset substrates photoluminescence intensity full width at half-maximum
