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如何降低半导体器件通态压降

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摘要在半导体器件应用过程中,器件热击穿是造成失效的主要原因,而热击穿多数是由于器件压降较大造成的,这就需要在器件制造过程中,进行理论分析并采取合理的工艺方法,降低器件的压降,使器件在工作时发热量较小,提高器件工作的可靠性。

作者刘继红李宫怀

机构地区阜新市天琪电子有限责任公司

出处《电子技术与软件工程》 2015年第2期149-149,共1页 ELECTRONIC TECHNOLOGY & SOFTWARE ENGINEERING

关键词降低半导体器件通态压降

分类号 TN303 [电子电信—物理电子学]

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电子技术与软件工程

2015年第2期

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