期刊文献⁺

任意字段

题名或关键词

题名

关键词

文摘

作者

第一作者

机构

刊名

分类号

参考文献

作者简介

基金资助

栏目信息

新款功率MOSFET

原文传递

导出

摘要 Siliconix公司目前推出两款P沟道和N沟道共漏、芯片级功率MOSFETSi8901EDB和Si8904EDB。该两款产品尺寸为1.6mm×2.4mm×0.65mm。

作者江兴

出处《半导体信息》 2004年第6期20-21,共2页 Semiconductor Information

关键词导通电阻芯片级产品尺寸便携设备安装尺寸铿离子热性使用寿命

分类号 TN386.1 [电子电信—物理电子学]

引文网络
相关文献

1新款功率MOSFET 有助延长电池寿命[J].电子元器件应用,2004,6(9).
2章从福.飞兆半导体推出40V P沟道MOSFET[J].半导体信息,2008,0(3):12-12.
3热性能极佳的1／8砖DC／DC转换器[J].今日电子,2005(8):80-80.
4章从福.采用高热效微型封装的20A和30A功率MOSFET[J].半导体信息,2006,0(5):32-32.
5西门子推出迄今最小尺寸的Sinamics变频器[J].变频器世界,2016,0(6):36-36.
6P沟道MOSFET简化同步降压型变换器设计[J].电子设计技术 EDN CHINA,2004,11(3):50-50.
7郑冬冬.安森美半导体加入imec的硅基氮化镓研究项目[J].半导体信息,2012,0(5):34-34.
8王韦伟.基于ZigBee的智能家居无线数据传输系统的设计与实现[J].宿州学院学报,2014,29(7):80-83. 被引量：6
9西门子推出迄今最小尺寸的Sinamics变频器[J].电气时代,2016,0(6):18-18.
10TCL车载CD主机TC605[J].车载微电脑音响改装,2005(7):34-34.

半导体信息

2004年第6期

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...

;

使用帮助返回顶部