期刊导航
期刊开放获取
重庆大学
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
浅谈SILVACO TCAD在VDMOS功率器件设计中的应用
下载PDF
职称材料
导出
摘要
SILVACO TCAD是一款半导体工艺和器件仿真的专用软件,具有良好的界面,精确的模型设计被广泛应用。本文利用SILVACO TCAD软件对VDMOS功率器件的工艺和器件参数进行仿真,根据仿真过程及结果,提出了该仿真软件应用过程应该注意的一些问题。
作者
张海磊
陆建恩
严古响
徐成保
孟欢
机构地区
江苏信息职业技术学院
出处
《电子技术与软件工程》
2016年第9期92-93,共2页
ELECTRONIC TECHNOLOGY & SOFTWARE ENGINEERING
关键词
SILVACO
半导体工艺
器件仿真
VDMOS
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
引文网络
相关文献
节点文献
二级参考文献
10
参考文献
2
共引文献
7
同被引文献
0
引证文献
0
二级引证文献
0
参考文献
2
1
崔丰.
基于SILVACO-TCAD的热氧化工艺实验教学探讨[J]
.科技视界,2013(36):268-268.
被引量:1
2
朱筠.
利用SILVACO TCAD软件改进集成电路实践教学的研究[J]
.数字技术与应用,2012,30(7):114-116.
被引量:8
二级参考文献
10
1
杨征.
半导体工艺流程和器件的辅助设计与仿真软件[J]
.电子与电脑,2004(1):173-176.
被引量:3
2
毛剑波,易茂祥,张天畅.
微电子学专业实验室建设的探索与实践[J]
.实验室研究与探索,2005,24(12):118-119.
被引量:23
3
关彦青,程东方,王邦麟.
用TCAD进行IC新工艺的开发[J]
.微计算机信息,2006,22(10S):131-133.
被引量:6
4
苏巍,涂继云.
先进的小尺寸金属栅CMOS工艺开发[J]
.电子与封装,2007,7(1):36-38.
被引量:2
5
廖荣 刘玉荣.微电子工艺实习教学改革探索.实验室研究与探索,2010,29(8):274-276.
6
赵积春 苏福根 冉建平.实验室建设与实验教学的改革与实践.实验技术与管理,2011,:317-320.
7
余晓明.
浅谈工程教育方法和培养模式的改革[J]
.中国电力教育,2008(9):152-153.
被引量:5
8
刘国繁,曾永卫.
工程应用型人才培养特色的实践探索[J]
.中国高等教育,2010(13):26-27.
被引量:10
9
王永利,史国栋,龚方红.
浅谈工科大学生实践创新能力培养体系的构建[J]
.中国高等教育,2010(19):57-58.
被引量:56
10
商世广,赵玲,杜慧敏,赵萍.
新型材料器件实践教学课程改革与探索[J]
.西安邮电学院学报,2011,16(6):129-131.
被引量:4
共引文献
7
1
常玉春,李喆,李传南.
采用B/S架构的半导体TCAD网络实验教学平台构建研究[J]
.实验技术与管理,2014,31(9):116-119.
被引量:5
2
王富强,马行空,瞿宜斌.
表面栅静电感应晶体管沟道势垒形成机理研究[J]
.电子世界,2015(16):106-108.
3
周郁明.
TCAD在半导体工艺课程虚拟实验中的应用[J]
.安徽工业大学学报(社会科学版),2015,32(3):109-110.
被引量:2
4
赵艺丹,孙浩,张祁莲,孙晓玮.
InP基PIN开关二极管结构设计与制备[J]
.电子测量技术,2017,40(11):21-24.
5
唐云.
Silvaco TCAD仿真在《集成电路工艺》课程教学中的应用[J]
.湖南科技学院学报,2018,39(10):27-29.
被引量:4
6
朱筠,刘有耀,张霞.
CMOS闩锁效应虚拟仿真实验设计[J]
.实验室研究与探索,2021,40(3):112-115.
被引量:5
7
张宏涛,曹艳荣,王敏,任晨,张龙涛,吕玲,郑雪峰,马晓华.
30nm PMOS器件总剂量辐照实验与仿真[J]
.现代应用物理,2022,13(1):125-128.
1
廖太仪.
VDMOS功率场效应器件的设计与研制[J]
.半导体技术,1990,6(5):29-35.
被引量:1
2
于军,吴正元,刘三清,张硕.
VDMOS功率器件的优化设计与研制[J]
.华中理工大学学报,1993,21(3):174-178.
3
秦祖新,刘三清,应建华.
新型高频VDMOS功率器件的研究[J]
.微电子学,1991,21(5):36-39.
4
邵建新,王立模.
VDMOS功率器件开关特性研究[J]
.微电子学,1994,24(2):17-21.
被引量:4
5
张坚,邵建新.
500V0.5A VDMOS功率器件的设计与工艺[J]
.江南半导体通讯,1992,20(4):54-59.
6
郭琦,李惠军.
超大规模集成电路的可制造性设计[J]
.微纳电子技术,2005,42(9):435-439.
被引量:1
7
刘英坤,王占利,何玉樟,郎秀兰,张大立,夏雷,吴坚,周晓黎.
400MHz,CW 300W VDMOS功率场效应晶体管[J]
.半导体技术,2000,25(2):26-28.
被引量:5
8
宋雯,檀柏梅,戚帆.
STI应力对CMOS器件影响的模拟研究[J]
.半导体技术,2012,37(11):842-845.
9
卞铮,李冰.
高压高可靠性VDMOS功率器件钝化膜工艺研究[J]
.微电子学,2008,38(4):497-501.
被引量:1
10
姚勤泽.
VMOS功率场效应晶体管的制造工艺[J]
.科技信息,2010(24).
电子技术与软件工程
2016年 第9期
职称评审材料打包下载
相关作者
内容加载中请稍等...
相关机构
内容加载中请稍等...
相关主题
内容加载中请稍等...
浏览历史
内容加载中请稍等...
;
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部