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K波段幅相控制多功能MMIC的设计与实现

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摘要 基于GaAs衬底增强/耗尽型赝(E/D)工艺设计了K波段幅相控制多功能MMIC。该芯片对接收增益波动大采取了2bit微调数控衰减器的改善措施,同时内部集成放大器,数控衰减器,数控移相器等常用功能。测试结果表明:接收支路增益≥3dB,输出1dB压缩点≥1dBm;发射支路增益≥5dB,输出1dB压缩点≥4dBm;移相RMS≤5°,衰减RMS≤0.6dB。
作者 张超 陈月盈
机构地区 中国电子科技集团公司第十三研究所
出处 《中国新技术新产品》 2017年第16期21-23,共3页 New Technology & New Products of China
关键词 增强/耗尽型pHEMT 幅相控制多功能 数控移相器 单刀双掷开关 数控衰减器
分类号 TN43 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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参考文献6

二级参考文献39

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共引文献30

中国新技术新产品
2017年 第16期

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