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ZnO材料及紫外探测器关键技术研究进展

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摘要 ZnO是一种独特的第三代半导体材料。近年来,ZnO薄膜和纳米材料以及三元ZnO基材料得到广泛研究和发展。ZnO基紫外探测器由于其优异的光电特性,随着ZnO材料的不断发展已成为紫外探测领域研究中的新热点之一。本文介绍了近年来国内外ZnO基紫外探测器的材料制备,界面控制和器件结构等关键技术的研究进展,指出制备高质量的薄膜以及进一步提高器件的性能是推动ZnO紫外探测器实用化进程的关键。
作者 阮育娇 李鹭虹 崔潼 康品春 郑鹏 蒋淑恋
机构地区 厦门市计量检定测试院
出处 《电子世界》 2017年第23期9-11,共3页 Electronics World
基金 国家质量监督检验检疫总局科技计划项目(2014QK020)资助
关键词 第三代半导体材料 ZNO薄膜 紫外探测器 技术 材料制备 器件结构 纳米材料 光电特性
分类号 TN364.2 [电子电信—物理电子学]
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参考文献7

二级参考文献48

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共引文献50

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2017年 第23期

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