7～13 GHz GaAs单片40W限幅低噪声放大器被引量：6

7～13 GHz GaAs 40 W Power Limiter Low Noise Amplifier MMIC

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摘要南京电子器件研究所首次研制出7～13GHz连续波40W大功率限幅器＋低噪声放大器集成单片。根据大功率和低噪声要求，将PIN二极管和低噪声PHEMT两种材料集成在同～GaAs衬底上，

作者彭龙新王溯源凌志健章军云徐波

机构地区单片集成电路与模块国家重点实验室南京电子器件研究所

出处《固体电子学研究与进展》 CSCD 北大核心 2017年第5期F0003-F0003,共1页 Research & Progress of SSE

关键词低噪声放大器 GAAS衬底限幅器单片南京电子器件研究所 PIN二极管 PHEMT 大功率

同被引文献32

1彭龙新,林金庭,魏同立.宽带单片低噪声放大器[J].电子学报,2004,32(11):1933-1936. 被引量：11
2谭杰,宫玉彬,李涛,王少萌.2.0～2.4GHz限幅低噪声放大器设计[J].电子测量技术,2009,32(9):26-29. 被引量：6
3彭龙新,朱赤,陈金远,李建平,高建峰,黄念宁,吴礼群.K波段收发集成多功能芯片[J].固体电子学研究与进展,2010,30(4). 被引量：1
4张振,范如东,罗俊.一种S波段平衡式限幅低噪声放大器的设计[J].微电子学,2012,42(4):463-465. 被引量：7
5邓刚,要志宏,陈书宾,苏彦文.S波段平衡式限幅放大器设计[J].半导体技术,2014,39(2):98-102. 被引量：5
6王磊,任健,刘飞飞,刘帅.Ka波段GaAs MMIC限幅低噪声放大器的设计[J].半导体技术,2018,43(12):893-897. 被引量：6
7彭龙新,林金庭,魏同立.X波段单片集成低噪声接收子系统[J].固体电子学研究与进展,2002,22(2):141-145. 被引量：6
8聂星河,郁健,程冰,於晓峰.宽带限幅低噪声放大器设计[J].固体电子学研究与进展,2014,34(5):445-449. 被引量：5
9凌志健,彭龙新.K波段收发多功能GaAs MMIC芯片[J].固体电子学研究与进展,2015,35(1):40-45. 被引量：2
10任春江,彭龙新,戈勤,沈宏昌,潘晓枫,李建平,李忠辉,陈堂胜.Ku波段GaN一片式收发组件芯片[J].固体电子学研究与进展,2017,37(1):1-5. 被引量：2

1王磊,任健,刘飞飞,刘帅.Ka波段GaAs MMIC限幅低噪声放大器的设计[J].半导体技术,2018,43(12):893-897. 被引量：6
2杨虹,程杼邦,叶青松.C波段低噪声放大器设计[J].电子质量,2018(3):76-79.
3王溯源,章军云,彭龙新,黄念宁.基于248 nm扫描光刻机工艺的0.15μm GaAs单片限幅低噪声放大器[J].电子与封装,2019,19(8):39-43. 被引量：3
4彭龙新,邹文静,孔令峥,张占龙.GaAs及GaN微波毫米波多功能集成电路芯片综述[J].固体电子学研究与进展,2023,43(2):121-135. 被引量：1
5李远鹏,魏洪涛,刘会东.X波段平衡式限幅低噪声放大器MMIC[J].半导体技术,2023,48(9):805-811.
6舒畅,彭龙新,李建平,贾晨阳,洪伟.S波段GaAs超低噪声限幅低噪声放大器芯片的研制[J].微波学报,2024,40(3):85-89.

1贾晨阳,彭龙新,刘昊,凌志健,李建平,韩方彬.毫米波GaAs单片限幅低噪声放大器[J].固体电子学研究与进展,2019,39(3):169-173. 被引量：5
2王溯源,章军云,彭龙新,黄念宁.基于248 nm扫描光刻机工艺的0.15μm GaAs单片限幅低噪声放大器[J].电子与封装,2019,19(8):39-43. 被引量：3
3倪冬欣,彭龙新,李建平,凌志健.5~6 GHz限幅低噪声放大器的研制[J].固体电子学研究与进展,2020,40(1):18-22. 被引量：8
4成立鑫,要志宏.6~18GHz GaAs射频前端多功能MMIC[J].半导体技术,2021,46(4):274-278.
5曾志,周鑫.5~13GHz GaAs限幅低噪声放大器MMIC[J].半导体技术,2021,46(5):354-357. 被引量：4
6张镇,李光超,蒋乐,周睿涛,周宏健.一种高精度6位数控移相器研制[J].电子设计工程,2022,30(4):120-124. 被引量：4
7李光超,周睿涛,蒋乐,张镇,豆兴昆.一款DC~40 GHz六位数控衰减器芯片设计[J].电子设计工程,2022,30(5):175-179.
8许传栋,苏郁秋,董思源,李光超,周宏健.一款高线性度正电压控制的压控衰减器[J].电子设计工程,2022,30(21):71-74. 被引量：1
9彭龙新,邹文静,孔令峥,张占龙.GaAs及GaN微波毫米波多功能集成电路芯片综述[J].固体电子学研究与进展,2023,43(2):121-135. 被引量：1
10陈金远,余旭明,王逸铭,丛诗力,葛佳月,戴一凡.GaN收发多功能芯片在片集成测试优化[J].固体电子学研究与进展,2024,44(4):315-318.

1陈艳.PIN二极管在射频电路中的应用[J].数码世界,2017,0(12):98-98.
2陈秀芳,杨祥龙,徐现刚,杨学林,魏同波,刘建利.第3代半导体材料在5G通讯领域的发展与机遇[J].新材料产业,2018,0(1):43-46. 被引量：8
3周全,孔令甲.一种VHF频段1200 W吸收式限幅器的设计[J].舰船电子对抗,2017,50(6):112-115. 被引量：5
4郭东君,宣扬,庄永河,李鸿高.基于LTCC一体化封装的S波段平衡式限幅低噪声放大器研制[J].混合微电子技术,2017,28(1):38-43.
5郭啸,王创国,邹文静,张磊,林罡,贾东铭.基于EMMI的GaAs数字电路失效分析方法及案例[J].固体电子学研究与进展,2017,37(6):424-428. 被引量：3
6赵正平.固态微波电子学的新进展[J].半导体技术,2018,43(1):1-14. 被引量：4
7张振刚,刘楠.X波段宽带波导式接收机保护器设计[J].真空电子技术,2017,30(6):65-67.
8赵艺丹,孙浩,张祁莲,孙晓玮.InP基PIN开关二极管结构设计与制备[J].电子测量技术,2017,40(11):21-24.

固体电子学研究与进展

2017年第5期

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