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辐射电离效应的激光模拟方法在半导体器件中的应用 被引量：1

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摘要 由于需要对半导体器件进行安全快捷以及无损伤的切割,因此产生了辐射电离效应的激光模拟方法,这种方法已经得到了国际上的认可。并且跟大型地面辐射模拟装置相比,激光模式方法具有很多优势,可作为重要的补充手段来展开针对性的抗辐射加固设计来对半导体器件辐射效应进行深入研究,在理论和应用方面都具有重要的意义。本文主要就γ射线、激光和半导体器件之间互相作用产生的电离效应做简要分析,结合国内外发展情况进行了总结,根据当前研究存在的问题展开探讨,以及对未来进行的展望。
作者 彭鑫
机构地区 湖北省师范大学物理与电子科学学院
出处 《电子技术与软件工程》 2018年第4期67-67,共1页 ELECTRONIC TECHNOLOGY & SOFTWARE ENGINEERING
关键词 辐射电离效应 激光模拟 半导体器件 应用
分类号 TN249 [电子电信—物理电子学] TN303 [电子电信—物理电子学]
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参考文献3

二级参考文献33

  • 1邱爱慈.脉冲X射线模拟源技术的发展[J].中国工程科学,2000,2(9):24-28. 被引量：32
  • 2蒯斌,邱爱慈,曾正中,丛培天,王亮平,梁天学.短脉冲高剂量率γ射线源技术研究[J].强激光与粒子束,2005,17(4):595-598. 被引量：9
  • 3毕克允.电子元器件抗辐射加固技术[M].2002:3234,167168,530,533.
  • 4郭晓强,陈伟,郭红霞.SRAM器件反应堆中子单粒子效应研究[R].GFA0156103G.
  • 5郭晓强,白小燕,林东生.基于单粒子效应的粒子输运与器件物理联合仿真[R].GF-A0156104G.
  • 6Flament O, Baggio J, D'hose C, et ah 14 MeV neutron induced SEU in SRAM devices[J]. IEEE Transactions on Nuclear Science, 2004 51(5) :2908-2911.
  • 7Dodd P E, Shaneyfelt M R, Horn K M, et al. SEU-sensitive volumes in bulk and SOl SRAMs from first principles calculations and experi ments[J]. IEEE Transaction on Nuclear Science, 2001, 48(6) : 1893 1903.
  • 8Arrnani J M, Simon G, Poirot P. Low energy neutron sensitivity of recent generation SRAMs [J]. IEEE Transaction on Nuclear Science 2004, 51(5) :2811-2816.
  • 9杨善潮,郭晓强,林东生,等.深亚微米CMOS随机静态存储器反应堆中子辐射效应实验研究[c]//中国核科学技术进展报告中国核学会2009年学术年会论文集.2009:102106.
  • 10Krawzsenek D, Hsu P, Anthony H,et al. Single event effects and total ionizing dose results of a low voltage EEPROMER~. IEEE Radia tion Effects Data Workshop. 2000:64 7.

共引文献29

同被引文献4

引证文献1

二级引证文献1

电子技术与软件工程
2018年 第4期

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