摘要
针对SOI MOSFET自热效应热量的来源——热生成行为进行了深入研究,结果表明,对于静态电路,饱和导通电流产生的焦耳热效应是主要热量来源;对于动态电路,开关电流引起的器件寄生电容充放电过程产生的开关热效应起主要作用.
In this work,we investigated the source heat of self-heating in SOI MOSFETs,heat generation behavior,deeply.It shows that Joule heating effect caused by saturation current is the main source of heat in statistic circuits;while the switch heating effects from the parasitic capacitance charge and discharge process caused by switch current dominate in dynamic circuits.
作者
苏亚丽
唐凌虹
王金刚
SU Ya-li;TANG Ling-hong;WANG Jing-gang(School of Meehanieal Engineering, Xi＇an Shiyou University, Xi＇an 710065, China)
出处
《微电子学与计算机》
CSCD
北大核心
2018年第5期120-123,共4页
Microelectronics & Computer
基金
陕西省教育厅科研计划项目(16JK1609)
西安石油大学青年科技创新基金(2015BS049)
关键词
绝缘体上硅
自热效应
热生成
焦耳热效应
开关热效应
silicon-on-insulator （SOl）
self-heating effect
heat generation
joule heating effect
switch heating effect
