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IGBT栅极绝缘特性测试方法研究

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摘要 作为新型功率半导体器件的主型器件,IGBT广泛应用于工业、4C(通信、计算机、消费电子、汽车电子)、航空航天、国防军工等传统产业领域以及轨道交通、新能源、智能电网、新能源汽车等战略性新兴产业领域。IGBT的测试技术也随之进入了一个新的时代,本文针对IGBT静态测试中栅极特性I参数的测试方法进行了分析和验证。
出处 《内江科技》 2018年第3期22-22,50,共2页
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参考文献1

二级参考文献9

  • 1Ruthing H, Umbach F, Hellmund O, et al. 600V- IGBT3: trench field stop technology in 70pm ultra thin wafer technology[C]. ISPSD, Cambridge, UK, 2003: 63-66.
  • 2Sheng Kuang, Williams B W, Finney S J. A review of IGBT models[J]. IEEE Transactions on Power Electronics, 2000, 15(6): 1250-1266.
  • 3Hefner A R, Bouche S. Automated parameter extraction software for advanced IGBT modeling[C]. Proc. of IEEE Workshop on Computers, Blacksburg, July, 2000: 10-18.
  • 4Kang X, Santi E, Hudgins J L, et al. Parameter extraction for a physics-based circuit simulator IGBT model[C]. Proc . IEEE Applied Power Electronics Conf., (APEC'03), 2003: 946-952.
  • 5Angus T Bryant, Kang Xiaosong, Enrico Santi, et al. Two-step parameter extraction procedure with formal optimization for physics-based circuit simulator IGBT and p-i-n diode models[J]. IEEE Transactions on Power Electronics, 2006, 21( 2): 295-308.
  • 6Udrea F, Amaratuniga G A. Theorical and numerical comparison between DMOS and trench technologies for insulated gate bipolar transistors[J]. IEEE Transaction on Electron Devices, 1995, 42(7): 1356- 1366.
  • 7Hefner A R. Modeling buffer layer IGBT's for circuit simulation[J]. IEEE Transactions on Power Electronics, 1995, 10(2): 111-123.
  • 8Hefner A R, Blackburn D L. An analytical model for the steady-state and transient characteristics of the power insulated gate bipolar transistor[J]. Solid State Electronics, 1988, 31(10): 1513 -1532.
  • 9周文定,亢宝位.不断发展中的IGBT技术概述[J].电力电子技术,2007,41(9):115-118. 被引量:20

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