期刊文献+

IPM智能功率模块故障测试及失效定位 被引量:3

下载PDF
导出
摘要 随着了工业制造水平的发展,IPM的生产技术得到了极大的发展,器件的可靠性问题将是未来研究面临的新挑战。针对国内外近年来在智能功率模块失效分析方面的主要研究内容,综述了智能功率模块应用失效的测试方法以及失效定位技术,总结了连续性失效、绝缘性失效、HVIC故障、IGBT故障和NTC故障的测试方法,并分析了这些器件故障可能的失效原因。
出处 《中国集成电路》 2018年第10期69-75,共7页 China lntegrated Circuit
基金 国家自然科学基金(00000000) 国家高技术研究发展计划(863计划)(2008AA000000)
  • 相关文献

参考文献8

二级参考文献31

  • 1潘曙娟,钟杰.基于ATE的IC测试原理、方法及故障分析[J].Journal of Semiconductors,2006,27(z1):354-357. 被引量:7
  • 2唐凌,瞿欣,方培源,杨兴,王家楫.PEM用于半导体器件失效缺陷检测和分析[J].半导体技术,2004,29(7):43-47. 被引量:6
  • 3许伟达.IC测试原理[J].半导体技术,2006,31(4):284-286. 被引量:7
  • 4杨家铿,失效物理基础,1982年
  • 5MIL-STD-883C method 3015.7, Military Standard Test Methods and Proc. For Microelectronics[DB].Dept. of Defense, Washington, D. C., U.S.A., 1989.
  • 6Ming-Dou Ker and Tain-Shun Wu, ESD Protection forSubmicron CMOS IC's--A Tutorial[DB].CCL Technical Journal, 1995,42: 10-24.
  • 7T. J. Maloney and N. Khurana. Transmission Line Plising Techniques for Circuit Modeling of ESD Phenomena[DB]. EOS/ESD Symposium Proceedings, EOS-7, 1985.49-54.
  • 8C. Duvvury, R. N. Rountree, and O. Adams. Internal chip ESD phenomena beyond the protection circuit[DB].lEEE Trans. on Electron Devices, 1988,35(12): 2133-2139.
  • 9H. Terletzki, W. Nikutta, and W. Reczek. Influence of the series resistance of on-chip power supply buses on internal device failure after ESD stress[DB]. IEEE Trans. on Electron Devices, 1993,40(11): 2081-2083.
  • 10M. D. Jaffe and E E. Cottrell. Electrostatic discharge protection in a 4-Mbit DRAM[DB]. EOS/ESD Symp. Proc., EOS-12, 1990.218-223.

共引文献64

同被引文献23

引证文献3

二级引证文献2

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...
;
使用帮助 返回顶部