摘要
利用脉冲激光淀积法（PLD）在α-Al2O3衬底上淀积了ZnO薄膜,通过ZnO和α-Al2O3固相反应制备了具有ZnAl2O4覆盖层的α-A2O3衬底.X射线衍射谱（XRD）表明ZnAl2O4薄膜随反应时间由单一（111）取向转变为多晶取向,然后变为不完全的 （111）择优取向.同时扫描电子显微镜（SEM）照片表明ZnAl2O4表面形貌随反应时间由均匀的岛状结构先变为棒状结构,然后再变为突起的线状结构.另外,XRD谱显示低温制备的ZnAl2O4在高温下不稳定.在ZnAl2O4覆盖的α-Al2O3衬底上利用光加热低压MOCVD法直接生长了GaN薄膜.XRD测量表明随ZnAl2O4厚度增加GaN由c轴单晶变为多晶,单晶GaN的摇摆曲线半高宽为0.4°.结果表明薄ZnAl2O4覆盖层的岛状结构有利于GaN生长初期的成核,从而提高了GaN的晶体质量.
出处
《中国科学（A辑）》
CSCD
北大核心
2002年第10期895-899,共5页
Science in China(Series A)
基金
国家重点基础研究规划(批准号:G20000683)
国家杰出青年研究基金(批准号:60025411)
国家自然科学基金(批准号:69976014
69636010
69806006
69987001)
国家高技术研究计划(批准号:2001AA311110)资助项目
