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Cs掺杂的高性能(NH_2CH=NH_2)_(1-x)Cs_xPbI_3光电探测器 被引量:1

High-performance Photodetectors Based on Cs-doped(NH_2CH=NH_2)_(1-x)Cs_xPbI_3 Thin Film
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摘要 FAPbI_3有机无机杂化钙钛矿光电探测器还存在一些问题,合成纯α相光敏钙钛矿需要较高的退火温度(150~160℃),不利于柔性器件的制备;另外,在常温下,FAPbI_3容易发生α→δ的相变,器件的空气稳定性很差。本文制备了Cs掺杂的二极管型FA_(1-x)Cs_xPbI_3光电探测器。结果表明,Cs的掺杂一方面有效降低了合成纯α相FA钙钛矿的退火温度,另一方面提高了器件性能以及空气稳定性。对比不同Cs掺杂浓度的器件性能,发现掺杂摩尔分数为10%时,器件性能最优,其开关比可达1.6×10~5,响应速度达到7.1μs,在350~800nm宽光谱范围内探测率都在10^(12)cm·Hz^(1/2)·W^(-1)(Jones)量级。本研究为实现低温制备高性能高稳定性的FA钙钛矿光电探测器提供了一条可行的途径。 For NH2CHNH2PbI3(FAPbI3)photodetectors,the challenges are that the high annealing temperature(150-160℃)for pureα-FAPbI3 perovskite are not suitable for flexible substrates and the transition fromαtoδphase makes the photodetectors unstable in air at room temperature.In this paper,we synthesized pureα-phase FA1-xCsxPbI3 perovskite by doping Cs at an annealing temperature of 100℃and fabricated FA1-xCsxPbI3 photodetectors.The devices exhibit best performance and air stability.At-0.5 V,a high on/off current ratio of 1.6×10^5 and fast response times of 7.1μs are obtained,and the specific detectivities are above 10^12 cm·Hz 1/2·W^-1(Jones)over a broad spectral range from 350-800 nm.
作者 张猛 张帆 张华野 胡煜峰 娄志东 ZHANG Meng;ZHANG Fan;ZHANG Hua-ye;HU Yu-feng;LOU Zhi-dong(Key Laboratory of Luminescence and Optical Information,Ministry of Education,Institute of Optoelectronic Technology,Beijing Jiaotong University,Beijing 100044,China)
出处 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第11期1613-1620,共8页 Chinese Journal of Luminescence
基金 国家自然科学基金(61475014 61674012 61675018 61775011) 国家重点研发计划(2016YFB0700703)资助项目~~
关键词 FAPbI3钙钛矿 相变 Cs掺杂 光电探测器性能 FAPbI 3 perovskite phase transition Cs-doped performance of photodetector
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引证文献1

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