热氧化对p型Si薄层电阻R_s的影响

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摘要本文通过实验表明,在p型Si上进行热氧化,要导致薄层电阻R_s的变化,变化量ΔR_s与p型Si的R_s大小、氧化速率,杂质分凝系数、杂质在Si和SiO_2中的扩散系数有关,并对控制R_s的变化提出了一定措施。

作者刘秀喜

机构地区山东师范大学半导体所

出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1992年第1期41-43,45,共4页 Semiconductor Technology

关键词半导体器件热氧化硅簿膜电阻

参考文献1

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半导体技术

1992年第1期

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