摘要
我们已成功地制造并测试了模拟集成场发射微型三极管结构。这种微型三极管采用了Spindt型钼(Mo)场发射阴极和三种不同结构的阳极。阳极到栅极和发射极锥尖的距离d分别是>5mm、≈1.25mm和≈2～20μm。本文讨论了器件工作状态对紧靠阳极的钼场发射锥尖工作特性造成的影响。测得的跨导值为0.5mS(5μS/锥尖或12S/cm^2)、截止频率是0.8MHz。照此结果推算,有望得到250mS/mm的跨导和100GHz的截止频率。
出处
《半导体情报》
1992年第4期19-23,共5页
Semiconductor Information
