摘要
新型二维半导体原子晶体兼具原子级厚度、纳米级层状结构、极高的载流子迁移率,是构建未来高性能纳米光电器件的核心材料之一~1。其中带隙是半导体电子器件和光电子光器件中最重要的基本参数之一,是影响半导体电子器件开关比和光电器件的光电流响应的关键因素之一~2。
作者
谢毅
Yi Xie(School of Chemistry and Materials Science,University of Science and Technology of China,Hefei 230026,P.R.China)
出处
《物理化学学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
2020年第11期17-18,共2页
Acta Physico-Chimica Sinica
