摘要
低温多晶硅工艺作为薄膜晶体管显示器的主流工艺被各大面板厂商所采用。但是复杂的工艺制程导致基板形变较大,这就导致出现相应的光学类的不良,如串色,漏光,透过率低等。为了实现阵列基板和彩膜基板的高精度对位,本文研究了影响阵列基板总节距(Total Pitch,TP)均一性的工艺因素。首先,通过跟踪测试LTPS-TFT工艺每步TP结果,将TP变化量大的工艺分为3类,即:Mask工艺,镀膜工艺与高温工艺。其次深入分析说明这些工艺影响TP的原因和管控TP的常规做法。
出处
《电子世界》
CAS
2021年第10期87-90,共4页
Electronics World
