LATTICE DYNAMICS OF STRAINED Si/Ge SUPERLATTICES

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摘要 Lattice dynamics of strained(Si)_(4)/(Ge)_(4) superlattice grown pseudomorphically on (001)-oriented Si_(1-x)Ge_(x)(0≤x≤1)substrate is investigated.In the present calculations,the effects of strain and substrate are discussed.

作者 ZI Jian ZHANG Kaiming XIE Xide

机构地区 Physics Department

出处《Chinese Physics Letters》 SCIE CAS CSCD 1990年第5期230-233,共4页 中国物理快报（英文版）

关键词 Si/Ge STRAINED SUPER

分类号 TN3 [电子电信—物理电子学]

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1王菡滨,刘梦新,毕津顺,李伟.Si/Ge异质结双栅隧穿场效应晶体管TCAD仿真研究[J].微电子学,2021,51(3):413-417.

Chinese Physics Letters

1990年第5期

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