摘要
隧穿场效应晶体管目前已成为低功耗器件的重要发展方向之一。提出了一种含pocket结构的新型异质结双栅隧穿场效应晶体管,基于Sentaurus TCAD仿真软件,将该新型器件与传统Si/Ge异质结双栅隧穿场效应晶体管(Si/Ge_DGTFET)进行对比。研究两者能带结构、隧穿概率和跨导特性。仿真结果显示,新型器件的能带弯曲更加明显,更有利于隧穿的产生,新型器件的隧穿产生率是传统器件的数倍,其峰值达到1.497×10^(33) cm^(-3)·s^(-1),并且其跨导特性也要优于传统器件。
出处
《科技与创新》
2022年第7期174-177,共4页
Science and Technology & Innovation
