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第三代半导体及氮化镓(GaN)材料分析

Analysis of Third Generation Semiconductor and Gallium Nitride(GaN)Materials
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摘要 阐述第三代半导体及氮化镓(GaN)材料制备工艺,以及第三代半导体在全球和国内的发展情况,分析氮化镓(GaN)材料的特征和氮化镓半导体材料的应用,包括在通信系统、功率半导体、军事用途、电子学中的应用。 This paper describes the preparation process of third-generation semiconductors and gallium nitride(GaN)materials,as well as the development of third-generation semiconductors globally and domestically.It analyzes the characteristics of GaN materials and their applications,including in communication systems,power semiconductors,military applications,and electronics.
作者 李杰 王友旺 LI Jie;WANG Youwang(Shenzhen Shenai Semiconductor Co.,Ltd.,Guangdong 518000,China)
出处 《集成电路应用》 2023年第10期326-328,共3页 Application of IC
关键词 第三代半导体 碳化硅(SiC) 氮化镓(GaN) third-generation semiconductor silicon carbide(SiC) gallium nitride(GaN).
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